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ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

2015-06-25 eNet&Ciweek

近日,ROHM于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化。

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