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碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管

2016-09-07 eNet&Ciweek/逸飞

据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道,该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管,首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。 

最新的碳纳米晶体管获得的电流是硅晶体管的1.9倍,性能首次超越目前技术水平最高的硅晶体管。而为了克服碳纳米管内混杂的金属纳米管对碳纳米管导电性能的破坏,研究团队利用聚合物获得了去除金属纳米管的独有条件,最终将金属纳米管的含量降到0.01%以下,几乎是超高纯度的碳纳米管。同时,研究团队还研发出一种溶解方法,成功移除碳纳米管制造过程中产生的残渣。 

该碳纳米管技术突破是里程碑事件,将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。

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