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下一代存储芯片预计明年研发成功:读写速度将比现在快1000倍

2018-04-28 eNet&Ciweek/浅秋

4月26日晚间消息,武汉光电国家研究中心正在全力研发“下一代存储芯片”,预计将于明年研发成功,读写速度将比当前芯片快1000倍。

 芯片是一个高度复杂的科技产品,每个存储器加工过程有66步工艺,目前,该团队正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储技术,一旦产业化成功,将颠覆产业格局。

当前,我国正加大力度进行自主芯片研究,造出“中国芯”,实现真正意义上的产业升级。

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