4月26日晚间消息，武汉光电国家研究中心正在全力研发“下一代存储芯片”，预计将于明年研发成功，读写速度将比当前芯片快1000倍。
芯片是一个高度复杂的科技产品，每个存储器加工过程有66步工艺，目前，该团队正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储技术，一旦产业化成功，将颠覆产业格局。
当前，我国正加大力度进行自主芯片研究，造出“中国芯”，实现真正意义上的产业升级。
下一代存储芯片预计明年研发成功：读写速度将比现在快1000倍
2018-04-28
4月26日晚间消息，武汉光电国家研究中心正在全力研发“下一代存储芯片”，预计将于明年研发成功，读写速度将比当前芯片快1000倍。
芯片是一个高度复杂的科技产品，每个存储器加工过程有66步工艺，目前，该团队正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储技术，一旦产业化成功，将颠覆产业格局。
当前，我国正加大力度进行自主芯片研究，造出“中国芯”，实现真正意义上的产业升级。
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