日前，三星电子正式宣布，已经开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片，其关键特性是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。
与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比，后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40％，写入速度提高了30%，单Die容量达256Gb(32GB)。
未来，三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求。
三星宣布开始批量生产第五代V-NAND闪存
2018-07-12
日前，三星电子正式宣布，已经开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片，其关键特性是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。
与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比，后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40％，写入速度提高了30%，单Die容量达256Gb(32GB)。
未来，三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求。
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