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紫光将投240亿美元建设成都制造基地

2018-10-15 eNet&Ciweek/弘毅

据报道,紫光成都存储器制造基地项目已于12日正式开工。

紫光集团董事长赵国伟表示,这个基地未来将投资240亿美元建设新的闪存工厂,主要生产3D NAND闪存。按照紫光的说法,目前他们还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存,而今年年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存,明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存。

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