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三星发现全新半导体材料:内存、闪存迎来革命

2020-07-07 eNet&Ciweek/雅君

7 月 6 日消息,三星电子宣布,发现了一种全新半导体材料 “无定形氮化硼 (amorphous boron nitride),简称 a-BN”。三星表示,无定形氮化硼有望广泛应用于DRAM内存、NAND闪存的制造,特别适合下一代大规模服务器存储解决方案。

新半导体材料的发现或将加速新一代半导体的问世。

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