7 月 6 日消息，三星电子宣布，发现了一种全新半导体材料 “无定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，简称 a-BN”。三星表示，无定形氮化硼有望广泛应用于DRAM内存、NAND闪存的制造，特别适合下一代大规模服务器存储解决方案。
新半导体材料的发现或将加速新一代半导体的问世。
三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命
2020-07-07
7 月 6 日消息，三星电子宣布，发现了一种全新半导体材料 “无定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，简称 a-BN”。三星表示，无定形氮化硼有望广泛应用于DRAM内存、NAND闪存的制造，特别适合下一代大规模服务器存储解决方案。
新半导体材料的发现或将加速新一代半导体的问世。
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