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长江存储32层3DNAND存储研发项目取得重要进展

2017-02-20 eNet&Ciweek/白薇

该款由长江存储与微电子所三维存储器研发中心联合开发的32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。 

成功实现工艺器件和电路设计的整套技术验证是存储技术阶跃性的突破和创新,是向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

技术的进步并非一日之功,而取决于企业坚毅的态度和持久的奋斗。

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