据悉，中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片，将在美国硅谷首次公开。
清华紫光的子公司长江存储（YMTC）从8月7日（当地时间）出席美国《美国的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit）》，公开32层、64层3D NAND。YMTC透露，新产品使用的是3D NAND架构创新技术Xtacking，有效提高了数据处理速度。
此次，我国自主研发的内存芯片亮相美国，不仅改善了其他国家对我国芯片技术的看法，也表明我国芯片研发技术的进步。
中国企业自主研发的内存芯片亮相美国
2018-08-10
据悉，中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片，将在美国硅谷首次公开。
清华紫光的子公司长江存储（YMTC）从8月7日（当地时间）出席美国《美国的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit）》，公开32层、64层3D NAND。YMTC透露，新产品使用的是3D NAND架构创新技术Xtacking，有效提高了数据处理速度。
此次，我国自主研发的内存芯片亮相美国，不仅改善了其他国家对我国芯片技术的看法，也表明我国芯片研发技术的进步。
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